| 据华中科技大学官微消息，近日，该校武汉光电国家研究中心团队，在国内率先攻克合成光刻胶所需的原料和配方，助推我国芯片制造关键原材料突破瓶颈。据介绍，其研发的T150A光刻胶系列产品，已通过半导体工艺量产验证，实现了原材料全部国产，配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。 据悉，武汉光电国家研究中心团队研发的这款半导体专用光刻胶对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于国外同系列某产品，T150A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大、稳定性更高、留膜率更优，其对刻蚀工艺表现更好，通过验证发现T150 ... 展开 |
ad